Сверхбыструю и надежную память новых поколений могут делать из урана
- CNews FORUM 12 ноября
- CNews AWARDS 12 ноября
- Школа Роста
- КИИ в облаке
- 10 лет российского бэкапа
- SDN: Сеть как дом
- История облаков
- 30 лет ERP России
- Цифровизация
- Импортозамещение
- Безопасность
- ИТ в госсекторе
- ИТ в банках
- ИТ в торговле
- Телеком
- ИТ-бизнес
- Рейтинги
|
В одном из материалов на основе урана, известном ученым еще с 60-х годов прошлого века, случайно обнаружили необычные магнитные свойства, способные обеспечить более быструю и надежную работу компьютерной памяти нового поколения
Случайное открытие
В соединении урана, известном ученым еще с 1960-х гг., обнаружены необычные магнитные свойства, способные обеспечить более быструю и надежную работу компьютерной памяти, чем у современных устройств, пишет Scitechdaily.
В до сих пор практически не вызывавшем интереса ученых оксителлуриде урана (UOTe) физики из США случайно нашли структуру с повторяющемся, закрученным расположением атомов. Такой эффект известен как хиральность. Он влияет на движение электронов в кристалле, который получает необычное сочетание двух различных типов магнетизма. Это позволяет разработать передовые электронные и компьютерные запоминающие устройства.
Открытие стало возможно благодаря новым методам микроскопии. «Изначально я изучал этот материал по совершенно другой причине. Когда я исследовал его с помощью микроскопии высокого разрешения, я обнаружил естественную сверхструктуру, которую никто раньше не распознал», — сказал доктор Мэнке Лю (Mengke Liu), доцент кафедры физики Техасского университета в Далласе (США).
Двойной магнетизм
Лю изучал с атомным разрешением кристаллы, синтезированные доктором Шэн Раном (Sheng Ran), доцентом кафедры физики Вашингтонского университета в Сент-Луисе (США)..
Электроника нового поколения может получить память, одновременно обладающую преимуществами ферромагнетиков и антиферромагнетиков
Кристалл одновременно проявляет характеристики ферромагнетизма и антиферромагнетизма. В ферромагнитных материалах атомные магнитные моменты выравниваются, создавая общую намагниченность. В антиферромагнитных материалах соседние магнитные моменты направлены в противоположные стороны, обычно компенсируя друг друга, так что материал не имеет суммарной намагниченности.
«Нахождение единого материала, сочетающего в себе оба этих свойства, представляет фундаментальный интерес», — сказал Лю.
Исследовательская группа Гарвардского университета (штат Массачусетс, США) под руководством доктора Суян Сюй (Suyang Xu) параллельно изучила то же самое соединение. Потом научные группы сравнили результаты и, проведя дополнительные эксперименты, подтвердили наличие необычной атомной сверхструктуры.
Материал, сочетающий в себе два вида магнетизма, может открыть возможности для технологий магнитной памяти нового уровня. «Если эти преимущества удастся использовать, запоминающие устройства потенциально могут стать как быстрее, так и надежнее», — сказал Лю.
Новые перспективы для производства памяти
Сейчас в жестких дисках широко используется ферромагнитный способ сохранения информации. Ферромагнетики обладают, например, высокой емкостью. Антиферромагнитные материалы, как правило, менее чувствительны к внешним магнитным полям и могут обеспечивать более высокую скорость работы, чем ферромагнетики.
КИИ в облаке: как разделить зоны ответственности между провайдером и ИТ-службой КИИ в облаке
Кроме того, согласно вычислениям, сотни родственных оксителлуриду урана соединений могут содержать сопоставимые сверхрешеточные структуры и значительно расширить горизонты для исследований.
«Вместо того чтобы сосредотачиваться только на фундаментальном расположении атомов, мы теперь можем исследовать и более крупные сверхструктуры, которые могут влиять на поведение электронов», — отметил Лю.
KioskNews shows a cleaned-up reading view extracted from the publisher’s page — the original always lives on their site, not ours.