三星向台積電靠攏？HBM關鍵裸晶不再自製 傳將「雙軌供應」原因曝

〔財經頻道／綜合報導〕三星電子的高頻寬記憶體（HBM）基礎裸晶（base die、基礎晶粒）供應策略，預計在客製化HBM（Custom HBM）時代迎來重大變化。市場傳出，三星電子正擺脫過去透過內部晶圓代工進行自行生產的方式，推動同時採用以台積電（TSMC）製程為基礎的基礎裸晶的「雙軌」策略。

韓媒《ZDNet Korea》報導，業界消息指出，三星電子計畫在客製化HBM的基礎裸晶上，同時採用三星晶圓代工（Samsung Foundry）與台積電的製程。三星此舉被外界解讀為，為了因應不同客戶的需求，正試圖提高基礎裸晶供應鏈的彈性。

HBM是由多個DRAM垂直堆疊而成的核心裸晶（core die），以及配置在其下方的基礎裸晶所構成。基礎裸晶負責連接記憶體與系統半導體，以高速傳送及接收資料。

隨著HBM世代演進，基礎裸晶的重要性也日益提高。三星電子與SK海力士（SK hynix）從今年開始量產的HBM4起，已開始不再採用既有的DRAM製程，而是改由晶圓代工製程製造基礎裸晶。相較於DRAM製程，晶圓代工製程有利於在基礎裸晶中整合更多功能，並提高效能及電力效率。

而過去三星電子透過內部的系統LSI事業部與晶圓代工事業部，自行取得HBM所使用的基礎裸晶。

然而傳出在NVHBM等客製化HBM方面，三星將同時採用台積電製造的基礎裸晶，三星將以自家的HBM核心裸晶為基礎，依據客戶需求，混合搭載由三星晶圓代工製造的基礎裸晶，以及由台積電製造的基礎裸晶。NVHBM是輝達上個月公布的客製化HBM架構。

報導指出，如果三星電子的HBM用基礎裸晶由台積電製造，相關晶片設計與最佳化支援將由三星電子記憶體事業部負責。內部的系統LSI事業部則只負責設計供三星電子晶圓代工使用的產品。

另一名業界人士表示：「有部分系統LSI事業部的人員已轉到三星電子記憶體事業部。與台積電基礎裸晶相關的工作，就是由這些人員負責」，並說明：「目前已經有客戶正在以三星電子的HBM核心裸晶及基於台積電製程的基礎裸晶進行產品設計。」

業界人士表示：「三星電子計畫根據客戶要求，針對NVHBM用基礎裸晶，同時採用內部晶圓代工及台積電的雙軌方式」，並表示：「具體是否採用以及採用比例，將依最終客戶需求而有所不同。」

報導分析，目前台積電透過自家的晶圓代工及封裝製程，已與輝達等全球大型科技企業建立穩固的供應鏈。在穩定性與效能方面，客戶偏好程度很高。在這種情況下，如果三星電子堅持只採用自家的晶圓代工一站式生產模式，可能越來越難以滿足客戶各種客製化需求。