3D DRAM вместо 4F2: Micron назвала тупиковой технологию, которую внедряет китайская CXMT

Опрос

реклама

Новости Hardware

Самое интересное в обзорах

22.10.2026 [10:26], 

Для американского производителя памяти Micron Technology переход к памяти с вертикальными транзисторами не является столь же явной альтернативой, как для китайской CXMT. Первая из компаний видит больше перспектив в 3D DRAM, а 4F2 считает тупиковым вариантом развития, который себя не оправдает.

Источник изображения: Micron Technology

Хотя китайская компания CXMT с предсказуемой гордостью говорит о намерениях вывести на рынок модули DDR5 типа RDIMM на основе микросхем с архитектурой транзисторов 4F², сторонние эксперты смотрят на ситуацию более трезво. Они отмечают, что для китайского производителя данный шаг является во многом вынужденным, поскольку CXMT лишена доступа к импортному оборудованию, позволяющему наладить выпуск памяти с более плотным размещением транзисторов иными способами.

Президент и технический директор американской Micron Technology Скотт де Бур (Scott DeBoer) в интервью Nikkei вчера подтвердил, что компания не торопится переходить на архитектуру ячеек памяти 4F². По его словам, Micron изучала эту возможность на протяжении более 20 лет, но до сих пор не включает такую технологию в свои производственные планы. Вместо этого Micron собирается развивать классическую компоновку 6F² и делать ставку на технологию 3D DRAM следующего поколения.

Напомним, критерий F в данном контексте определяет занимаемую ячейкой памяти площади на полупроводниковом кристалле. Классическая ячейка 6F², таким образом, занимает больше места по сравнению с 4F², которую торопится внедрить в условиях санкций китайская CXMT. Американская Micron работает в более комфортных условиях, а потому может долго не задумываться о такой миграции.

Более того, технический директор Micron назвал подобное сравнение двух компоновок манипуляциями с «зеркалами и дымом», поскольку переход на 4F², по его словам, вовсе не гарантирует увеличения ёмкости памяти. «Существует некое заблуждение, будто технология 4F² действительно даёт какие-то преимущества по сравнению с 6F². На самом деле именно шаг между конденсаторами определяет характеристики DRAM», — пояснил де Бур. По его словам, существенных преимуществ 4F² не добавляет, а в производстве соответствующая память дороже и сложнее. Именно шаг размещения конденсаторов определяет плотность упаковки ячеек памяти и ёмкость чипа, в конечном итоге.

Каждый конденсатор при этом должен хранить достаточный заряд, чтобы позволять надёжно считывать данные, поэтому шаг их размещения сократить довольно сложно по сравнению с обычным уменьшением размеров транзисторов. Если смотреть на дальнейшие перспективы масштабирования памяти с архитектурой 4F² с точки зрения современной науки, как отмечает представитель Micron, то начинают вмешиваться законы физики. Именно они будут задавать те пределы, которые в конечном итоге заставят дизайн чипов памяти перейти к 3D DRAM вместо 4F², по мнению де Бура. Конденсаторы в составе 3D DRAM имеют совершенно другую ориентацию, поскольку эта память «полностью вертикальна», как добавил он. Иначе масштабируются и сами возможности разработки 3D DRAM, а также вся сопутствующая оптимизация.

По словам технического директора Micron, для этой компании «этап, на котором требуется EUV, совпадает с моментом выбора между изготовлением по технологии 4F² и 6F²». Оборудование для производства чипов с использованием сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV), поставляемое нидерландской ASML, доступно Micron без экспортных ограничений, в отличие от китайских производителей памяти.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.