The Jerusalem PostIDF investigates last two interceptors launched in 48 hours against aerial targets in LebanonInquirer‘Kutseros’ preserving Vigan heritage get rice aidDaily MaverickNPA REFERRAL: Gqeberha businessman faces criminal investigation over anti-LGBTQIA+ conductESPNFollow live: Brewers answer with Contreras' RBI single as both teams on the board earlyESPN DeportesLaLiga ¿Cuándo se jugará Atleti vs Barcelona?RTP DesportoDaniel Bragança estreia-se a marcar pelo Torino no triunfo sobre a UdineseBillboard‘Monday Night Football’ 2026: How to Watch the Buffalo Bills vs. Los Angeles Rams Game Live Online FreeZDF heuteEntdecken Sie das ZDF-NachrichtenstudioBBC عربيجماعة أنصار الله الحوثية تواصل استهداف مطار الرياض، وتحذر الولايات المتحدة من دخول الصراعCBS SportsCowboys hire former NFL head coach, Packers' DC to help fix struggling defenseynetהפנייה הראשונה של פליי דובאי לנוסעים, שבועיים אחרי ניסיון הפיגוע: "חזרתם בבטחה"CBS NewsTrump says he's "looking at" firing Kimberly Guilfoyle
The Daily Newsstand · Free, Always
Monday, October 12, 2026

Samsung разделит zNAND-память на три типа — для локального ИИ, дата-центров и инференса

Translate

логотип 3DNews

Опрос

реклама

Новости Hardware

Самое интересное в обзорах

12.10.2026 [23:28], 

Samsung Electronics расширяет разработку флеш-памяти NAND, ориентированной на использование в системах для искусственного интеллекта. Компания трудится над тремя вариантами z-NAND, каждый из которых ориентирован на определённый тип нагрузки: от локальной обработки данных на устройствах до работы в высокопроизводительных дата-центрах.

Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

По данным южнокорейского издания ZDNet, первый тип памяти — zNAND-O, который был анонсирован Samsung в августе, предназначен для работы с локальным ИИ. Она устроена таким образом, чтобы минимизировать задержки при передаче данных между соседними компонентами вычислительных систем. В отличие от традиционных методов, при которых данные передаются к внешним контактам чипа с помощью проволочных соединений, в zNAND-O используется технология сквозных кремниевых переходов (Through-Silicon Via, TSV), позволяющая вертикально размещать от четырёх до восьми кристаллов NAND-памяти. Это сокращает путь передачи данных, повышая скорость работы и энергоэффективность.

Второй тип, ещё официально не анонсированный zNAND-T, сфокусирован на пропускной способности. Память zNAND-T рассчитана на использование в мощных дата-центрах, где требуется мгновенная передача огромных массивов информации. По своей архитектуре этот продукт близок к концепции высокоскоростной флеш-памяти (HBF), обеспечивая широкий канал для данных.

Третий тип, также ещё не представленный zNAND-I, оптимизирован под высокую скорость случайного доступа к памяти (IOPS или количество операций ввода-вывода в секунду). Этот параметр критичен для задач ИИ-инференса, где системе необходимо постоянно обращаться к небольшим объёмам временных данных. Примером могут служить системы кеширования, требующие высокой частоты мелких запросов.

Решение Samsung Electronics о создании трёх отдельных линеек NAND-памяти продиктовано запросами крупных технологических компаний на кастомизацию оборудования. Конкуренты, такие как SK hynix, также развивают собственные семейства ИИ-памяти с разделением по типу нагрузки.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

View the original on 3DNews →

KioskNews shows a cleaned-up reading view extracted from the publisher’s page — the original always lives on their site, not ours.