ESPNCeltics' Tatum denies 'beef' with 76ers' Brown after trade: This isn't Shaq and KobePunch2027: North should back Tinubu, wait till 2031 — AkumeCNN Türkİzmir'de 30 yıl hapis cezasıyla aranan firari yakalandıBollywood HungamaKaran Johar to host ELITE most influential 2026 at Oxford University on December 14한겨레신압록강대교 건너 ‘전격 방중’ 김정은…혈맹 과시용? 북-미 회동 포석?InquirerNPC urges transparency in veteran journalist’s arrestZDF heuteEntdecken Sie das ZDF-NachrichtenstudioThe RegisterRaspberry Pi Desktop proves old PCs aren't past itScreen RantGTA 6 Online Official Age Verification Will Impact Millions Of GamersIl Fatto QuotidianoRussia, Zakharova arruola Al Bano per attaccare Meloni: “Roma ascolti il suo appello contro le sanzioni”Wirtualna PolskaTysiące euro za ucieczkę z Algierii. Baleary stały się nowym szlakiem migracyjnym do EuropyStraits Times SportTomoya Ito, 63, becomes oldest Japanese male gold medallist at Asian Para Games
The Daily Newsstand · Free, Always
Saturday, October 24, 2026

Infineon и NVIDIA разработают технологию питания на основе GaN для стоек на 800 В

Translate

Infineon заключила партнёрское соглашение с NVIDIA, в рамках которого будет разработана технология преобразования энергии с компонентами на основе нитрида галлия (GaN), предназначенная для архитектуры питания ИИ ЦОД с напряжением 800 В постоянного тока, сообщает Data Centre Dynamics. Новое соглашение стало продолжением договорённостей, достигнутых в мае 2025 года.

В рамках нового соглашения основное внимание будет уделяться разработке преобразователей промежуточной шины питания (IBC) — эти устройства понижают напряжение основной шины, питающей карты ускорителей, до более низких уровней, позволяя последующим каскадам питания формировать необходимые значения для работы компонентов в системах ИИ.

Источник изображения: infineon.com

Источник изображения: infineon.com

Многокаскадная архитектура помогает снизить потери при распределении энергии и соблюсти жёсткие требования к занимаемой площади на плате, тепловым характеристикам и времени безотказной работы. Стандарт высоковольтного питания постоянным током внедряется наряду с существующими системами переменного тока и низковольтного постоянного тока в качестве дополнительного решения для систем с повышенной плотностью мощности.

GaN-компоненты переключаются быстрее кремниевых аналогов и характеризуются меньшими потерями, что позволяет достичь частот переключения до 1 МГц на этапе промежуточного преобразования. За счёт этого можно уменьшить размеры магнитных и других пассивных компонентов, повысить плотность мощности и снизить высоту конструкции печатных плат — всё это важно с учётом того, что мощность серверных стоек приближается к мегаваттному уровню. В ассортименте решений Infineon на базе GaN значатся преобразователи для различных диапазонов: с 800 В до 50, 12 и 6 В; компания также располагает микроконтроллерами питания PSoC Control C3, чипами EiceDRIVER для управления силовыми транзисторами — и предлагает комплексные системные решения IBC. Есть также аналоги на компонентах из кремния и карбида кремния.

Ранее тайваньская Winbond договорилась о приобретении у Infineon бизнеса по производству памяти NOR и FRAM; Infineon, в свою очередь, поглотила индийского производителя систем электропитания для ЦОД C2i Semiconductors. В начале года компания также представила беспроводные чипы Airoc ACW741x для оборудования интернета вещей.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER. | Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам.

View the original on 3DNews →

KioskNews shows a cleaned-up reading view extracted from the publisher’s page — the original always lives on their site, not ours.