三星攜手台積電布局zHBM 2奈米良率衝上70％受矚目

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初次上稿09-12 23:50

更新時間09-13 07:05

三星4奈米與2奈米良率皆大幅提升。（路透）

〔編譯魏國金／台北報導〕韓國KB證券11日預測，由於高頻寬記憶體（HBM）市占率提高，以及晶圓代工良率改善，三星電子未來成長可期。三星在其下一代高頻寬記憶體zHBM也與台積電組成戰略聯盟，以期強強聯手擴大HBM版圖。

三星第2季HBM市占率為33%，KB證券預測第4季將接近40%，這是因為第3季三星的HBM4銷售預期較前1季增逾3倍，HBM4有望佔今年下半年HBM總銷售60%。三星已向主要客戶提供HBM4E樣品，並已全面量產HBM4。

三星也公佈下一代高頻寬記憶體zHBM的開發藍圖。KB證券研究員李昌明（音譯，Lee Chang-min）指出，「改善散熱問題以及大幅提升頻寬的zHBM可以透過三星電子一站式解決方案，以及與台積電的戰略聯盟等多種方式提供」。

三星晶圓良率也有所改善，三星4奈米製程良率已逾80%、2奈米GAA良率也增加至逾70%。

李昌明說，「4奈米製程良率實際上逼近台積電的競爭水準，而2奈米製程也從年初的低於50%迅速提高；2奈米製程良率的提升有望在未來加速銷售成長，不僅提升三星代工績效，同時增進HBM基礎裸晶的競爭力」。