ЕС выделит €319 млн на запуск первого в мире массового производства GaN-чипов на 300-мм пластинах

Опрос

реклама

Новости Hardware

Самое интересное в обзорах

29.10.2026 [22:26], 

Еврокомиссия одобрила выделение €319 млн государственных субсидий на модернизацию предприятия Infineon Technologies в австрийском Филлахе. Компания намерена первой в мире наладить массовое производство силовых полупроводниковых компонентов на основе нитрида галлия (GaN) с использованием 300-мм пластин. Общий объем инвестиций в проект составит около €1,1 млрд.

Источник изображения: Infineon Technologies

Средства направят на расширение действующих производственных мощностей Infineon в федеральной земле Каринтия. Проект получил название Empowering Fab и предусматривает переход от выпуска GaN-компонентов на пластинах диаметром 200 мм к более крупным 300-мм пластинам. Как сообщает сама Infineon, первые изделия с модернизированного производства должны поступить на рынок к концу 2027 года. При этом инвестиционная программа рассчитана до 2034 года.

Технологию обработки 300-мм пластин для силовой электроники на основе нитрида галлия Infineon освоила еще в 2024 году. До этого подобные компоненты изготавливались преимущественно на пластинах диаметром 200 мм. Увеличение диаметра позволяет разместить на одной пластине примерно в 2,3 раза больше чипов. Благодаря этому производитель рассчитывает снизить себестоимость изделий и повысить эффективность использования оборудования.

Нитрид галлия рассматривается как альтернатива кремнию в силовой электронике. Компоненты на его основе способны работать с высокой частотой переключения и обеспечивать меньшие потери энергии при преобразовании электричества. Это позволяет создавать более компактные блоки питания, снижать тепловыделение и уменьшать требования к охлаждению. Такие решения востребованы в серверном оборудовании, центрах обработки данных для искусственного интеллекта, электромобилях, робототехнике и системах возобновляемой энергетики.

Одним из направлений применения GaN-компонентов Infineon считает энергоснабжение ИИ-серверов, где увеличение вычислительных мощностей сопровождается ростом потребления электричества. По мере распространения мощных ускорителей производителям оборудования приходится повышать эффективность преобразования энергии и сокращать потери в системах питания. Аналогичные требования предъявляются к зарядным устройствам и промышленным преобразователям.

Генеральный директор Infineon Йохен Ханебек (Jochen Hanebeck) заявил, что переход к массовому выпуску на 300-мм пластинах позволит компании расширить использование нитрида галлия в силовой электронике. По оценке аналитиков Yole Group, на которую ссылается производитель, мировой рынок силовых GaN-компонентов может достичь $3,5 млрд к 2031 году. Среднегодовые темпы роста в период с 2025 по 2031 год оцениваются примерно в 35 %.

Одобренная Еврокомиссией субсидия будет предоставлена в рамках европейского Закона о чипах (European Chips Act). Получение средств предусматривает ряд обязательств. Infineon должна расширить сотрудничество с университетами, научными учреждениями, стартапами и небольшими технологическими компаниями, предоставляя им доступ к лабораториям, программным и аппаратным средствам. Кроме того, предусмотрено участие австрийского государства в распределении возможной дополнительной прибыли от проекта сверх установленных прогнозов.

В Еврокомиссии считают, что без государственной поддержки Infineon не стала бы осуществлять эти инвестиции в Европе. При рассмотрении заявки регулятор также оценивал влияние субсидии на конкуренцию внутри ЕС. В итоге финансирование признали необходимым для расширения европейского производства полупроводников и снижения зависимости от зарубежных поставщиков.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.