中国のメモリ企業「CXMT」が4F²設計のデータセンター向けDDR5 RDIMMを2026年末までに発売すると発表、ブレイクスルー達成でライバルのMicron・SKハイニックス・Samsung株が急落

4F²アーキテクチャは垂直方向に配置する設計で、商用DRAMチップで広く使用されている6F²アーキテクチャと比較して、メモリセルの面積を削減しています。セル面積だけで見ると、各セルのサイズは約3分の1削減され、理論的には全体で50％多くのセルを搭載することが可能になります。

CXMTはこの技術に関する研究と業界トップクラスとなる300件以上の特許出願を行っており、2021年、2023年、2025年には論文を発表しています。SamsungやSKハイニックスも垂直配置のトランジスタ開発を進めていますが、Samsungでさえ量産化体制の目標を2028年に据えており、CXMTは2年も先行していることになります。

今回の発表を受け、SamsungとSKハイニックスの株価が7％以上急落しました。Micronの株価も4％程度下がりました。

CXMTの曹堪宇(Cao Kanyu)社長は、4F²アーキテクチャの第1世代製品としてDDR5 RDIMM(レジスタード・デュアル・インライン・メモリ・モジュール)を位置付け、この技術を用いてサーバーメモリ分野の技術的・工学的なボトルネックに対応する方針を示しました。

中国メディアの第一財経によると、サーバー向けメモリ市場では海外のメーカーの優位性が目立ったため、CXMTはこれまで家電市場に注力していたとのこと。

ソウル経済日報は「CXMTが、これまで注力してきた低消費電力DRAMではなく、まずサーバー用DRAMにこの技術を適用するという決定は、韓国の半導体メーカーに対する真正面からの挑戦を意味します」と報じました。