Las acciones de Samsung y SK Hynix caen por avances de CXMT en memoria

Investing.com - Las acciones de y cayeron más de un 3% el lunes, después de que la fabricante china de chips de memoria ChangXin Memory Technologies () informara de avances en un diseño de DRAM de nueva generación que podría aumentar la densidad de almacenamiento e intensificar la competencia con los fabricantes de chips de Corea del Sur.

Las acciones de Samsung cayeron un 3,6% hasta los 252.500 won, mientras que las de SK Hynix bajaron un 3,4% hasta los 1.624.000 won. Las acciones de CXMT también retrocedieron un 3,1% hasta los 49,42 yuanes.

CXMT anunció avances clave en una estructura de celda de memoria denominada 4F², tecnología que también persiguen Samsung y SK Hynix. Esta tecnología está diseñada para integrar más celdas de memoria en un chip, lo que podría aumentar la capacidad de almacenamiento y mejorar la eficiencia.

La memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) comercial convencional utiliza actualmente una estructura de celda 6F². El enfoque de CXMT se basa en un transistor de puerta vertical envolvente de desarrollo propio, que emplea una arquitectura de puerta vertical para reducir las fugas de corriente y, al mismo tiempo, reducir el área ocupada por cada celda de memoria, según el South China Morning Post.

El presidente de CXMT, Cao Kanyu, afirmó durante un evento del sector celebrado el fin de semana en Shanghái que la compañía tenía previsto introducir una nueva generación de módulos de memoria en línea doble registrados DDR5 (RDIMMs) basados en esta tecnología antes de finales de 2026.

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Estos módulos están diseñados para servidores empresariales, donde los productos de memoria deben cumplir exigentes requisitos de fiabilidad, durabilidad y compatibilidad.

CXMT no reveló especificaciones técnicas detalladas ni una fecha de lanzamiento concreta para el nuevo producto. El impacto comercial de su último desarrollo dependerá, por tanto, de su capacidad para llevar la tecnología al mercado y satisfacer los requisitos de los clientes del sector de servidores.

El anuncio se suma a las evidencias de los esfuerzos de CXMT por reducir la brecha tecnológica con los productores de DRAM consolidados. SK Hynix presentó su propia hoja de ruta de desarrollo 4F² en 2025, mientras que Samsung habría fijado como objetivo la producción en masa de DRAM por debajo de los 10 nanómetros utilizando este diseño para 2028.

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