Российские ученые запатентовали способ очистки диоксида кремния - ключ к производству современных чипов

• CNews FORUM 12 ноября
• CNews AWARDS 12 ноября
• Школа Роста
• Российский рынок облаков за 20 лет
• 30 лет рынку ERP в России
• Сеть как дом
• 10 лет российского бэкапа
• Цифровизация
• Импортозамещение
• Безопасность
• ИТ в госсекторе
• ИТ в банках
• ИТ в торговле
• Телеком
• Интернет
• ИТ-бизнес
• Рейтинги
• Инфографика

16 Октября 2026 15:25 16 Окт 2026 15:25 |

Российские ученые запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. На основе этого материала исследователи разработали полировальные суспензии, жизненно необходимые для создания современных полупроводников. Технологическая линия и регламент получения продукта в октябре 2026 г. уже готовы, а сама разработка отправлена на апробацию индустриальному партнеру. Проект реализуется с 2024 г. в рамках федеральной программы «Приоритет-2030».

Регистрация патента

В России запатентован способ глубокой очистки нанопорошка для микроэлектроники, это разработка позволяет определять возможность использования частиц в производстве микросхем, пишет ТАСС.

В октябре 2026 г. ученые научно-исследовательской лаборатории инженерной химии Национального исследовательского института (НИИ) химии Университета Лобачевского запатентовали способ глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния для микроэлектроники. Также разработан подход к комплексному управлению свойствами этих наночастиц.

Технология позволяет получать частицы с заданным размером и формой, высокой однородностью, стабильностью и низким содержанием примесей - характеристиками, критически важными для применения в производстве микросхем.

Ученые научно-исследовательской лаборатории инженерной химии Национального исследовательского института химии Университета Лобачевского

Работа ведется учеными Университета Лобачевского с 2024 г. в рамках стратегического проекта «Новые материалы для микроэлектроники» федеральной программы «Приоритет-2030». 16 октября 2026 г. проект находится на этапе опытно-технологической отработки. Исследовательская часть, связанная с подбором состава и условий синтеза, уже в значительной степени завершена. Основное внимание сейчас уделяется подтверждению стабильности технологии при масштабировании и испытаниям материалов совместно с индустриальным партнером.

Руководитель исследования, кандидат химических наук, научный сотрудник лаборатории Ксения Отвагина пояснила, что изобретение относится к области очистки аморфного диоксида кремния. Оно предназначено для использования в химико-механической полировке полупроводниковых пластин, а также в процессах, требующих высокочистых абразивных наноматериалов.

Статус внедрения

Специалисты Национального исследовательского Нижегородского государственного университета (ННГУ) имени Н.И. Лобачевского разработали технологическую линию и регламент получения продукта.

Low/no-code-революция: новая архитектура цифровой независимости Конференция

В результате создана устойчивая суспензия, направленная на апробацию индустриальному партнеру.

В условиях ограничений поставок сформировалась острая потребность в отечественных аналогах, сопоставимых по характеристикам с зарубежными продуктами.

Значение для отрасли

От размера, формы и однородности наночастиц напрямую зависит качество обработки пластин, а следовательно - надежность и производительность электронных устройств. Разработка отечественных материалов с 2026 г. с контролируемыми характеристиками является важным шагом для развития российской микроэлектроники и снижения зависимости от зарубежных поставщиков, подчеркнула Ксения Отвагина.

Ректор ННГУ имени Н.И. Лобачевского Олег Трофимов отметил, что создание отечественной компонентной базы для микроэлектроники - одна из ключевых задач. Запатентованная же технология демонстрирует, как университетская наука отвечает на вызовы времени и запросы индустрии. Со слов Трофимова, цель - обеспечить полный цикл от фундаментальных исследований до серийного внедрения. Успешное масштабирование процесса и переход к испытаниям с индустриальным партнером подтверждают правильность выбранного направления, добавил руководитель вуза.

Учебное заведение

ННГУ имени Н.И. Лобачевского основан в 1916 г. как один из трех Народных университетов России. В 2026 г. ННГУ относится к числу лучших ведущих университетов России. В университете обучаются около 30 тыс. студентов из 97 стран мира.

В составе Университета Лобачевского 18 факультетов и институтов, четыре крупных научно-исследовательских института. В структуру ННГУ входят суперкомпьютерный центр (суперкомпьютер «Лобачевский» 24 по мощности вузовский суперкомпьютер в мире), биомедицинский кластер, центр нанотехнологий, инновационно-технологический центр с ядром инкубатора бизнеса, тифлоинформационный центр, обеспечивающий компьютерную подготовку инвалидов по зрению, интернет-центры, фундаментальная библиотека, комплекс музеев, издательство и типография.