PunchNDLEA intercepts N3.4bn drugs, arrests fake cop, mechanicDaily MaverickSOCCER: Ahead of the game: How Safa chief Danny Jordaan keeps iron grip on powerInquirerPeñafrancia procession in Naga draws 1.2 million, ends peacefullyThe Jerusalem PostEl-Sayed visits Jewish Michiganders for Rosh Hashanah meal after accusations of antisemitismוואלהרצח ושיבוש הליכי משפט: כתב אישום נגד שני תושבי מזרח ירושליםCNN Türk‘Daha 17’ benim için aile demek’Antara NewsTNI Chief urges inter-agency collaboration to address Papua conflict경향신문‘팔레스타인 해방’ 논란에 입 연 에드 시런 “가자지구 상황은 재앙”Wirtualna PolskaWojna z NATO to wyrok dla Putina? Słowa Sikorskiego pod lupąInteriaRekordowa wygrana w Lotto. Bajońska suma trafi na konto zwycięzcySportstarAsian Games LIVE, September 20: India wins two silver in shooting; India reaches women's cricket final; India beats Singapore in table tennis — Latest scores and newsRai NewsFenix, a Roma la premier Meloni ai giovani di Fratelli d'Italia: "Immensamente fiera di voi"
The Daily Newsstand · Free, Always
Sunday, September 20, 2026

Китайская CXMT запустила массовое производство памяти DRAM пятого поколения

Translate

логотип 3DNews

Опрос

реклама

Новости Hardware

Самое интересное в обзорах

20.09.2026 [11:29], 

Китайский компания CXMT, занимающаяся производством памяти DRAM, объявила о начале массового производства чипов памяти пятого поколения. В компании это назвали прорывом, который поможет Поднебесной создать сильного конкурента Samsung, SK hynix и Micron на глобальном рынке чипов памяти.

Источник изображения: CXMT

Источник изображения: CXMT

Новая платформа предназначена для создания более производительных чипов памяти по более низкой цене и с меньшим энергопотреблением. CXMT, которая в этом году вышла на шанхайскую биржу STAR Market, заявила о готовности дать производителям электроники дополнительный источник поставок чипов для смартфонов и других устройств.

CXMT является крупнейшим китайским производителем памяти DRAM. Компания заявила, что новая технология позволяет размещать больше памяти на одном чипе, а также изготавливать больше чипов из одной кремниевой пластины. По данным вендора, удалось сократить расстояние между ключевыми элементами в области чипа, где хранятся данные, до 11,95 нм. Этого удалось добиться благодаря технологии производства микросхем по методу самовыравнивающегося четырёхкратного литографического формирования рисунка, когда несколько производственных этапов повторяются для формирования более тонких структур схем.

«В настоящее время наши технологические возможности не уступают самым передовым техпроцессам, используемым в отрасли для массового производства», — заявил недавно вице-президент CXMT Луо Сяодун (Luo Xiaodong).

Вместе с этим CXMT представила две 24-гигабитные микросхемы памяти LPDDR5X, произведённые на новой платформе. Память этого типа в основном используется в смартфонах и другой портативной электронике. Каждый из новых продуктов хранит на 50 % больше данных по сравнению с предыдущими аналогичными решениями вендора. Обе микросхемы уже выпускаются серийно. Чипы выпускаются в двух вариантах, ориентированных на использование в устройствах разного типа.

В CXMT отметили, что новая платформа позволяет выпускать как минимум на 50 % больше заготовок для чипов с одной кремниевой пластины по сравнению с показателем платформы четвёртого поколения. Этот показатель отражает потенциальное количество чипов, которое можно получить с пластины до исключения брака, а не долю изделий, прошедших финальное тестирование.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

View the original on 3DNews

KioskNews shows a cleaned-up reading view extracted from the publisher’s page — the original always lives on their site, not ours.