CNN Türk12 EKİM BUGÜN HAVA DURUMU: İSTANBUL, İZMİR, ANKARA | Sıcak ve güneşli hava yerine sağanak geliyor!InquirerITCZ, easterlies to bring rains over parts of PHPunchFRSC mourns ex-corps marshal BiuESPN DeportesBrewers vino de atrás ante Dodgers y abrió con triunfo SCLNBollywood HungamaFIR register against Imran Khan and others over August Kranti Maidan protest: REPORTESPNFalcons QB Penix (rib) exits loss late, doesn't expect injury to be long term한겨레농민들, 전남광주 ‘농어촌기본소득 전면실시’ 방침에 “환영”ZDF heuteEntdecken Sie das ZDF-NachrichtenstudioVanguardCartoon: Petrol discount… offer valid while stock lastObservador DesportoSetembro foi o segundo mais quente de sempre01netMicrosoft intègre les applis Office directement dans CopilotThe Sydney Morning HeraldThe Age Good Food Guide Awards LIVE: All the winners and hats revealed
The Daily Newsstand · Free, Always
Monday, October 12, 2026

أسهم سامسونج وSK Hynix تتراجع مع إعلان CXMT الصينية عن تقدم في تطوير الذاكرة

Translate

Investing.com - تراجعت أسهم و بأكثر من 3% يوم الاثنين، إثر إعلان شركة ChangXin Memory Technologies (CXMT) الصينية لتصنيع رقائق الذاكرة عن تقدم ملحوظ في تصميم جيل جديد من ذاكرة DRAM، قد يُسهم في رفع كثافة التخزين وتعزيز المنافسة مع صانعي الرقائق في كوريا الجنوبية.

انخفضت أسهم سامسونج بنسبة 3.6% إلى 252,500 وون، فيما تراجعت أسهم SK Hynix بنسبة 3.4% إلى 1,624,000 وون. كما انخفضت أسهم CXMT بدورها بنسبة 3.1% إلى 49.42 يوان.

أعلنت CXMT عن تحقيقها تقدماً جوهرياً في بنية خلية الذاكرة المعروفة بـ 4F² والتي تسعى كل من سامسونج وSK Hynix إلى تطويرها أيضاً. تهدف هذه التقنية إلى احتواء عدد أكبر من خلايا الذاكرة على الرقاقة الواحدة، مما قد يُعزز سعة التخزين ويُحسّن الكفاءة في آنٍ واحد.

تعتمد ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) التجارية السائدة حالياً على بنية خلية 6F²، في حين يرتكز نهج CXMT على ترانزستور البوابة المحيطة العمودية (Vertical Surrounding Gate) الخاص بها، الذي يستخدم هندسة بوابة عمودية للحد من تسرب التيار الكهربائي مع تقليص المساحة التي تشغلها كل خلية ذاكرة، وفقاً لما أوردته صحيفة South China Morning Post.

وأعلن رئيس CXMT كاو كانيو، خلال فعالية صناعية عُقدت في شنغهاي خلال عطلة نهاية الأسبوع، أن الشركة تعتزم طرح جيل جديد من وحدات الذاكرة DDR5 المسجلة ذات الصفين المتوازيين (RDIMMs) المستندة إلى هذه التقنية بحلول نهاية عام 2026.

صُمِّمت هذه الوحدات للاستخدام في خوادم المؤسسات، حيث يجب أن تستوفي منتجات الذاكرة متطلبات صارمة تتعلق بالموثوقية والمتانة والتوافق.

لم تُفصح CXMT عن المواصفات التقنية التفصيلية أو تاريخ إطلاق محدد للمنتج الجديد، وبالتالي سيتوقف الأثر التجاري لهذا التطور الأخير على قدرتها في تسويق التقنية وتلبية متطلبات عملاء الخوادم.

يُضاف هذا الإعلان إلى الأدلة المتراكمة على مساعي CXMT لتضييق الفجوة التقنية مع منتجي ذاكرة DRAM الراسخين في السوق. إذ كشفت SK Hynix عن خارطة طريقها الخاصة لتطوير تقنية 4F² في عام 2025، فيما تستهدف سامسونج وفق ما يُشار إليه الإنتاج الضخم لذاكرة DRAM دون عشرة نانومترات باستخدام هذا التصميم بحلول عام 2028.

هذه المقالة مترجمة بمساعدة برنامج ذكاء اصطناعي وخضعت لمراجعة أحد المحررين.. لمزيد من التفاصيل يُرجى الرجوع للشروط والأحكام الخاصة بنا

View the original on Investing.com →

KioskNews shows a cleaned-up reading view extracted from the publisher’s page — the original always lives on their site, not ours.