Samsung запустила строительство гигантского комплекса по выпуску ИИ-памяти — счёт вложений пошёл на квинтиллионы

Опрос

реклама

Новости Hardware

Самое интересное в обзорах

12.11.2026 [20:53], 

Летом этого года власти Южной Кореи назвали безотлагательными инвестиции в ИИ и чипы. Сегодня компания Samsung начала реализовывать эти планы, заложив первый камень в фундамент нового гигантского комплекса по производству памяти для ИИ.

Источник изображения: Samsung

Строительство было начато с участием президента Южной Кореи Ли Чжэ Мёна (Lee Jae Myung) и председателя совета директоров компании Samsung Electronics Ли Чжэ Ёна (Lee Jae-yong). Формально работы начались 12 ноября 2026 года на территории кампуса Samsung в Оньяне (Onyang), городе Асан (Asan) провинции Чхунчхон (Chungcheong).

Проект станет частью масштабной программы развития полупроводниковой промышленности и инфраструктуры искусственного интеллекта за пределами столичного региона. Samsung намерена вложить в развитие своих предприятий в провинции Чхунчхон в общей сложности ₩144 трлн (около $108 млрд), включая направления по производству полупроводников, дисплеев, аккумуляторов и компонентов для ИИ-серверов.

Непосредственно на площадке в Оньяне компания планирует создать пять производственных линий для выпуска и передовой упаковки памяти с высокой пропускной способностью HBM (High Bandwidth Memory). Совокупные инвестиции Samsung Electronics в этот объект составят ₩46 трлн (примерно $34,5 млрд): ₩6 трлн предусмотрено на строительство производственных мощностей и ещё ₩40 трлн — на установку современного технологического оборудования. Начатое строительство относится к пятой производственной линии. Это будет трёхэтажное здание с чистыми помещениями общей площадью около 31 000 м². Запуск объекта запланирован на июнь 2028 года, а его создание должно обеспечить около 700 постоянных рабочих мест.

После завершения проекта площадь кампуса увеличится с нынешних 270 000 до 420 000 м². Предприятие должно превратить Оньян из площадки, специализировавшейся преимущественно на сборке и тестировании обычных полупроводников, в один из ключевых центров передовой упаковки HBM. Эта технология предполагает объединение нескольких слоёв микросхем памяти в единую конструкцию с высокой плотностью соединений, что позволяет увеличить пропускную способность обмена данными между памятью и процессором. Такие решения особенно востребованы в ускорителях искусственного интеллекта, работающих с большими массивами данных.

Строительство в Оньяне — лишь один элемент более масштабной программы. В июле 2026 года Samsung объявила о планах инвестировать ₩140 трлн в развитие высокотехнологичных производств в Чхунчхоне, а к ноябрю совокупный объём заявленных вложений группы был увеличен до ₩144 трлн.

Параллельно в регионе предусматривается развитие производства передовых дисплеев, аккумуляторов и компонентов для ИИ-серверов, а также будут реализованы проекты других компаний, включая SK hynix. Правительство Южной Кореи намерено поддерживать инициативу инвестициями в инфраструктуру и ускорением разрешительных административных процедур. Начало строительства нового заводского комплекса Samsung в Оньяне фактически стало первым в южнокорейском мегапроекте стоимостью ₩4,7 квадриллиона ($3,5 трлн), направленного преимущественно на развитие индустрии искусственного интеллекта в стране.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.