Les actions de Samsung et SK Hynix chutent après les annonces de CXMT

Investing.com - Les actions de et ont chuté de plus de 3% lundi, après que le fabricant chinois de puces mémoire ChangXin Memory Technologies (CXMT) a annoncé des progrès sur une conception DRAM de nouvelle génération susceptible d’augmenter la densité de stockage et d’intensifier la concurrence avec les fabricants de puces de Corée du Sud.

Les actions Samsung ont reculé de 3,6% à 252.500 wons, tandis que SK Hynix a cédé 3,4% à 1.624.000 wons. Les actions CXMT ont également baissé de 3,1% à 49,42 yuans.

CXMT a indiqué avoir réalisé des avancées clés sur une structure de cellule mémoire dite 4F² également poursuivie par Samsung et SK Hynix. Cette technologie est conçue pour intégrer davantage de cellules mémoire sur une puce, augmentant potentiellement la capacité de stockage tout en améliorant l’efficacité.

La mémoire vive dynamique (DRAM) commerciale standard utilise actuellement une structure de cellule 6F². L’approche de CXMT repose sur un transistor à grille verticale entourante (Vertical Surrounding Gate) propriétaire, qui utilise une architecture de grille verticale pour réduire les fuites de courant tout en diminuant la surface occupée par chaque cellule mémoire, selon le South China Morning Post.

Le président de CXMT, Cao Kanyu, a déclaré lors d’un événement industriel à Shanghai ce week-end que la société prévoyait d’introduire une nouvelle génération de modules de mémoire DDR5 à double rangée de broches enregistrés (RDIMM) basés sur cette technologie d’ici fin 2026.

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Ces modules sont conçus pour les serveurs d’entreprise, où les produits mémoire doivent répondre à des exigences strictes en matière de fiabilité, d’endurance et de compatibilité.

CXMT n’a pas divulgué de spécifications techniques détaillées ni de date de lancement précise pour ce nouveau produit. L’impact commercial de cette dernière avancée dépendra donc de sa capacité à commercialiser la technologie et à satisfaire aux exigences des clients en matière de serveurs.

Cette annonce vient s’ajouter aux preuves des efforts de CXMT pour réduire l’écart technologique avec les producteurs de DRAM établis. SK Hynix a dévoilé sa propre feuille de route de développement 4F² en 2025, tandis que Samsung viserait une production de masse de DRAM sub-10 nanomètres utilisant cette conception d’ici 2028.

Cet article a été généré et traduit avec l’aide de l’IA et revu par un rédacteur. Pour plus d’informations, consultez nos T&C.

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